Ученые РФ впервые выявили новый эффект в полупроводниках
Ученые ННГУ, работая в исследовательской группе, пришли к интересному открытию, связанному с повышением концентрации носителей заряда в полупроводниках, используя оксид галлия. Эти результаты были опубликованы в журнале "Applied Physics Letters".
В ходе совместных исследований с коллегами из Института физики микроструктур РАН ученые выяснили, что при термической обработке кристала β-Ga2O3 с добавленными атомами кремния, применяя метод ионной имплантации, происходит заметное увеличение количества электронов, превышающее число атомов кремния.
Младший научный сотрудник Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ Алена Никольская подчеркивает важность использования атомов примесей для регулирования электрических характеристик полупроводников. В традиционных методах примеси обычно внедряются с помощью ионной имплантации и последующего отжига.
Никольская также объяснила, что во время отжига в кристалле возникают дефектные центры, состоящие из групп атомов, которые предоставляют "лишние" электроны. Этот эффект до этого момента нигде в мире не наблюдался, сообщает .
В ходе совместных исследований с коллегами из Института физики микроструктур РАН ученые выяснили, что при термической обработке кристала β-Ga2O3 с добавленными атомами кремния, применяя метод ионной имплантации, происходит заметное увеличение количества электронов, превышающее число атомов кремния.
Младший научный сотрудник Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ Алена Никольская подчеркивает важность использования атомов примесей для регулирования электрических характеристик полупроводников. В традиционных методах примеси обычно внедряются с помощью ионной имплантации и последующего отжига.
Никольская также объяснила, что во время отжига в кристалле возникают дефектные центры, состоящие из групп атомов, которые предоставляют "лишние" электроны. Этот эффект до этого момента нигде в мире не наблюдался, сообщает .
Источник: ria.ru
Ссылки по теме:
Дом Рианны обстреляла неадекватная поклонница: певица и дети в безопасности
Почти треть предпринимателей в России допускают закрытие или продажу бизнеса
Geely Galaxy Cruiser получил награду Red Dot Design Award 2026 до выхода на рынок
Обзор смартфона Samsung Galaxy S26
TCL анонсировала игровой монитор 27P2A Ultra с частотой обновления до 1040 Гц
Другие материалы рубрики:
Дом Рианны обстреляла неадекватная поклонница: певица и дети в безопасности
38-летняя певица Rihanna подверглась нападению у себя дома в Беверли-Хиллз. Неадекватная поклонница обстреляла особняк, где певица находилась вместе с бойфрендом A$AP Rocky и тремя детьми: 3-летней...
Почти треть предпринимателей в России допускают закрытие или продажу бизнеса
Обзор смартфона Samsung Galaxy S26
Vivo представила V70 FE с 10-битным AMOLED-дисплеем и 200-Мп камерой