Ученые РФ впервые выявили новый эффект в полупроводниках

В ходе совместных исследований с коллегами из Института физики микроструктур РАН ученые выяснили, что при термической обработке кристала β-Ga2O3 с добавленными атомами кремния, применяя метод ионной имплантации, происходит заметное увеличение количества электронов, превышающее число атомов кремния.

Младший научный сотрудник Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ Алена Никольская подчеркивает важность использования атомов примесей для регулирования электрических характеристик полупроводников. В традиционных методах примеси обычно внедряются с помощью ионной имплантации и последующего отжига.

Никольская также объяснила, что во время отжига в кристалле возникают дефектные центры, состоящие из групп атомов, которые предоставляют "лишние" электроны. Этот эффект до этого момента нигде в мире не наблюдался, сообщает РИАН.

Ученые ННГУ, работая в исследовательской группе, пришли к интересному открытию, связанному с повышением концентрации носителей заряда в полупроводниках, используя оксид галлия. Эти результаты были опубликованы в журнале "Applied Physics Letters".