НВСПОСТ » exclusive » Ученые РФ впервые выявили новый эффект в полупроводниках

Ученые РФ впервые выявили новый эффект в полупроводниках

Ученые ННГУ, работая в исследовательской группе, пришли к интересному открытию, связанному с повышением концентрации носителей заряда в полупроводниках, используя оксид галлия. Эти результаты были опубликованы в журнале "Applied Physics Letters".
Ученые РФ впервые выявили новый эффект в полупроводниках

Источник изображения: commons.wikimedia.org

В ходе совместных исследований с коллегами из Института физики микроструктур РАН ученые выяснили, что при термической обработке кристала β-Ga2O3 с добавленными атомами кремния, применяя метод ионной имплантации, происходит заметное увеличение количества электронов, превышающее число атомов кремния.

Младший научный сотрудник Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ Алена Никольская подчеркивает важность использования атомов примесей для регулирования электрических характеристик полупроводников. В традиционных методах примеси обычно внедряются с помощью ионной имплантации и последующего отжига.

Никольская также объяснила, что во время отжига в кристалле возникают дефектные центры, состоящие из групп атомов, которые предоставляют "лишние" электроны. Этот эффект до этого момента нигде в мире не наблюдался, сообщает РИАН.

Источник: ria.ru

14:42, 08 декабрь 2023
Общество
Автор: Быкова Ксения


Ctrl
Enter
Заметили ошЫбку
Выделите текст и нажмите Ctrl+Enter
Обсудить (0)


Рудой Андрей Владимирович, Общество с ограниченной ответственностью «Три «Ч», Центр Т, Общество с ограниченной ответственностью «Первый научный», Чешское информационное агентство «MEDIUM, Мурманская областная общественная организация «Кольский экологический центр» признаны в РФ иностранными агентами.